本發(fā)明公開了一種高效調(diào)控CVD單晶金剛石局部區(qū)域位錯(cuò)密度的方法。本方法采用等離子體刻蝕、表面形貌檢測(cè)以及正交偏光成像等復(fù)合技術(shù),能夠快速、無損判斷金剛石襯底中的高位錯(cuò)密度區(qū)域。通過飛秒激光等高能粒子束,對(duì)金剛石襯底中高位錯(cuò)密度區(qū)域進(jìn)行靈活、高效的圖形化加工。結(jié)合在圖形化區(qū)域中掩膜材料的選取與鋪設(shè),此方法能夠阻斷加工圖案底部區(qū)域位錯(cuò)向CVD金剛石生長(zhǎng)層的延伸,調(diào)控圖案?jìng)?cè)面區(qū)域位錯(cuò)線的延伸方向,釋放圖形化區(qū)域生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力,從而能夠有效降低CVD金剛石生長(zhǎng)層中局部區(qū)域的位錯(cuò)密度和殘余應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)對(duì)生長(zhǎng)層中缺陷和結(jié)晶質(zhì)量的針對(duì)性調(diào)控,提高CVD金剛石生長(zhǎng)的均勻性和晶體質(zhì)量。
聲明:
“高效調(diào)控CVD單晶金剛石局部區(qū)域位錯(cuò)密度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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