本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種紫外光電二極管及其制備方法。所述紫外光電二極管,包括以下結(jié)構(gòu):襯底;GaN層,設(shè)置于所述襯底的上表面;Ti
3C
2肖特基接觸層和歐姆接觸層,相對設(shè)置于所述GaN層上表面的兩側(cè);金屬觸點(diǎn)層,設(shè)置于所述Ti
3C
2肖特基接觸層的上表面。所述紫外光電二極管具有優(yōu)異的紫外光探測性能,響應(yīng)度率大,比探測率高,響應(yīng)速度快,且具有高電流開關(guān)比;所述制備方法無需復(fù)雜的金屬沉積或?yàn)R射工藝,對半導(dǎo)體表面無損傷,工藝簡單。
聲明:
“紫外光電二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)