一種利用電容測量來無損地表征超硬聚晶結(jié)構(gòu)內(nèi)的一個或多個區(qū)域的方法、系統(tǒng)和設備。該設備包括具有正極和負極端子的電容測量裝置,包括聚晶結(jié)構(gòu)的浸取的組件,第一導線,和第二導線。浸取的組件包括第一表面和相對的第二表面,第一導線將正極端子電耦接到浸取的組件的表面之一,第二導線將負極端子電耦接到浸取的組件的另一個表面。電容被測量一次或多次并與校準曲線進行比較以確定聚晶結(jié)構(gòu)內(nèi)的估計浸取深度。查明數(shù)據(jù)分散范圍以確定聚晶結(jié)構(gòu)的相對孔隙率或聚晶結(jié)構(gòu)內(nèi)的浸取質(zhì)量。
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