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半導體晶圓載流子表面復合速率的定量成像表征方法

1032   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:26
本發(fā)明公開了一種半導體晶圓載流子表面復合速率的定量成像表征方法,運用三通道函數(shù)發(fā)生器,其中的兩個通道分別產(chǎn)生兩個頻率為f1和f2的正弦信號,共同驅(qū)動一個激光器使其發(fā)出調(diào)制激光束用來激勵待測半導體晶圓,并在其中產(chǎn)生非平衡載流子;載流子輻射復合所發(fā)出的動態(tài)熒光信號的圖像由CCD采樣拍攝;函數(shù)發(fā)生器的第三個通道產(chǎn)生一個頻率為|f1?f2|的正弦信號作為參考信號,對CCD每個像素點在幀序列中形成的離散時域信號作數(shù)字鎖相運算,將頻率為|f1?f2|的信號分量的幅度提取出來;通過分析不同頻率下的幅度圖像可以得到該晶圓的載流子表面復合速率定量圖像,可為半導體生產(chǎn)線提供一種非接觸、無損、定量、快速的晶圓表面電學質(zhì)量評估與成像表征的方法。
聲明:
“半導體晶圓載流子表面復合速率的定量成像表征方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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