本發(fā)明提供一種用于確定導(dǎo)電型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法,其包括如下步驟:(1)通過(guò)SKPFM測(cè)定導(dǎo)電型碳化硅晶片的第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面分別與導(dǎo)電針尖的接觸電勢(shì)差,獲得第一表面的接觸電勢(shì)差和第二表面的接觸電勢(shì)差;(2)將所述第一表面的接觸電勢(shì)差和第二表面的接觸電勢(shì)差進(jìn)行比較;其中,如果所述第一表面的接觸電勢(shì)差大于第二表面的接觸電勢(shì)差,則所述第一表面為碳面,所述第二表面為硅面;如果所述第一表面的接觸電勢(shì)差小于第二表面的接觸電勢(shì)差,則所述第一表面為硅面,所述第二表面為碳面。本發(fā)明的方法是一種高效、無(wú)損、高可靠性的用于確定SiC晶片的Si面和C面的方法。
聲明:
“用于確定導(dǎo)電型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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