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α-IGZO薄膜傳感陣列的影像傳感器

701   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:26
α-IGZO薄膜傳感陣列的影像傳感器,屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,包括呈交叉排列的一組柵極線和一組數(shù)據(jù)線、以及由所述柵極線和數(shù)據(jù)線所界定的呈陣列狀排布的像素單元,所述像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管器件和一個(gè)光電二極管器件,所述薄膜晶體管器件,包括相對(duì)形成溝道的源極和漏極,所述源極和漏極之間設(shè)置有α-IGZO薄膜島,所述漏極與數(shù)據(jù)線連接。通過(guò)用α-IGZOTFT制成α-Si:HPIN傳感器,應(yīng)用于實(shí)時(shí)X射線醫(yī)療影像(熒光透視)系統(tǒng)和/或無(wú)損測(cè)試系統(tǒng),進(jìn)而改進(jìn)系統(tǒng)性能。使用α-IGZOTFT后的遷移率要比目前商用非晶硅TFT的高出10~15倍,具有較低的截止電流,其信噪比也降低了約30%。大幅提高了實(shí)時(shí)醫(yī)療X射線影像品質(zhì)。
聲明:
“α-IGZO薄膜傳感陣列的影像傳感器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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