一種半導(dǎo)體器件失效分析樣品的制作方法,本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件失效分析樣品的制作方法包括:提供待測的半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括晶片和封裝覆層;去除晶片背面的封裝覆層,直至暴露晶片焊墊;去除晶片焊墊;去除晶片背面的封裝覆層,暴露引腳框架,不暴露晶片內(nèi)的引線。相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件失效分析方法。采用本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法和分析方法可以有效提高實效分析的效率,并且在暴露晶片背面的時候能夠避免對晶片造成損傷。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法及分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)