本申請(qǐng)公開(kāi)了一種晶硅
太陽(yáng)能電池的失效分析方法,包括測(cè)試失效的晶硅太陽(yáng)能電池的第一性能;去除所述晶硅太陽(yáng)能電池的正面和背面的金屬,露出減反射膜層和鈍化層,測(cè)量此時(shí)電池的第二性能,包括光學(xué)性能、電學(xué)性能和所述減反射膜層的厚度;去除所述晶硅太陽(yáng)能電池的正面和背面的減反射膜層和鈍化層,露出擴(kuò)散層,測(cè)量此時(shí)的第三性能;去除所述晶硅太陽(yáng)能電池的正面和背面的擴(kuò)散層,測(cè)量此時(shí)電池的第四性能;根據(jù)所述第一性能、所述第二性能、所述第三性能和所述第四性能分析出電池失效原因。上述方法能夠?qū)﹄姵剡M(jìn)行層層剖析,細(xì)節(jié)到針對(duì)每環(huán)工序去查找
電池片低效的原因,達(dá)到量產(chǎn)增效的目的。
聲明:
“晶硅太陽(yáng)能電池的失效分析方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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