本發(fā)明公開了一種Flash產(chǎn)品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法,包括對待分析Flash樣品的上表面各層進(jìn)行減薄處理,露出含有ONO薄膜缺陷的儲存單元的第一
多晶硅層區(qū)域,使用選擇性化學(xué)溶液對第一多晶硅層進(jìn)行腐蝕去除,露出ONO薄膜,在ONO薄膜缺陷處,通過化學(xué)溶液繼續(xù)對該缺陷下方的第二多晶硅層進(jìn)行腐蝕去除,對被腐蝕的ONO薄膜缺陷處進(jìn)行定位,并制備缺陷平面樣品,供進(jìn)一步進(jìn)行缺陷觀察及失效分析。本發(fā)明可以更方便、準(zhǔn)確且更精細(xì)地分析Flash產(chǎn)品的ONO薄膜缺陷,大大提高失效分析的效率,從而幫助迅速提高Flash產(chǎn)品的良率和可靠性。
聲明:
“Flash產(chǎn)品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)