本發(fā)明提供了一種GOI失效點的檢測方法,包括:提供待測樣品,待測樣品包括襯底,襯底的表層包括多個淺溝槽隔離層及由淺溝槽隔離層隔離的多個實體部;覆蓋表層的柵氧化層;位于柵氧化層背離襯底一側的半導體層;及位于半導體層背離襯底一側的金屬連線層;將襯底背離柵氧化層一側減薄,直至裸露淺溝槽隔離層;采用電子束照射襯底的裸露所述淺溝槽隔離層的一側,并基于電壓襯度分析法檢測待測樣品的GOI失效點。將襯底進行減薄直至裸露實體部,從而獲取襯底裸露實體部一側的電壓襯度圖像;由于無任何結構層對該實體部背離柵氧化層一側進行遮擋,使得獲取的電壓襯度圖像更加精確,進而保證基于電壓襯度分析法對GOI失效點的檢測更加精確。
聲明:
“GOI失效點的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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