一種半導體器件電性失效的檢測方法,包括:步驟S1:灰階收集;a、以所述電子束缺陷掃描儀能夠掃描的最小區(qū)域作為掃描單元區(qū)域,通過程式設(shè)定為缺陷而被檢測,并拍攝電子顯微鏡圖譜;b、以半導體器件作為掃描對象,并在不同條件下掃描,進行灰階分析;步驟S2:掃描條件篩選,進行電性測試;獲得相似度數(shù)值;定義最優(yōu)掃描條件;步驟S3:進行定點灰階分析,獲得電性有效的灰階收集數(shù)據(jù)區(qū)間;步驟S4:電性失效區(qū)域預報。本發(fā)明通過電子束缺陷掃描儀所獲得的灰階收集數(shù)據(jù)與所述電性測試數(shù)據(jù)進行比較,可有效的預報電性失效區(qū)域和電性有效區(qū)域,為監(jiān)測離子注入工藝優(yōu)劣提供依據(jù),并為即將采取的改善措施提供技術(shù)支持,為縮短半導體器件的研發(fā)周期提供有力的保障。
聲明:
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