公開(kāi)了一種
芯片的失效點(diǎn)定位方法,其去除芯片的邊緣結(jié)構(gòu),以在芯片的截面上暴露出多個(gè)金屬層的部分,通過(guò)暴露的金屬層向芯片提供電流,并通過(guò)EBAC(E?Beam Absorbance Current,電子束吸收電流)技術(shù)獲得芯片的截面在電流驅(qū)動(dòng)下的截面圖像,根據(jù)該截面圖像的明暗區(qū)交界處位置可直接定位獲得失效點(diǎn)的深度位置,無(wú)需多次去層芯片,逐步暴露不同深度的底層金屬進(jìn)行多次測(cè)試,有效提升了失效點(diǎn)的深度位置的分析測(cè)試速度,為芯片研發(fā)提供了便利。
聲明:
“芯片的失效點(diǎn)定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)