本發(fā)明提供一種針對(duì)柵極開路電阻進(jìn)行晶圓可接受度測(cè)試的樣品處理方法,所述方法包括:將待測(cè)樣品的正面與支撐樣品粘合到一起;研磨待測(cè)樣品的背面,直至待測(cè)樣品的基底的厚度為1微米左右;使用硅腐蝕液處理待測(cè)樣品直至露出形成于所述基底中的隔離結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明,不會(huì)破壞柵極中的失效部位,可以更為有效地獲取和分析關(guān)于柵極中的失效部位的信息。
聲明:
“針對(duì)柵極開路電阻進(jìn)行晶圓可接受度測(cè)試的樣品處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)