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帶冗余單元的存儲(chǔ)器芯片的晶圓測試方法

631   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:19
本發(fā)明公開了一種帶冗余單元的存儲(chǔ)器芯片的晶圓測試方法,包括步驟:步驟一、根據(jù)晶圓上存儲(chǔ)器芯片的主區(qū)域的陣列結(jié)構(gòu)和冗余單元的結(jié)構(gòu)設(shè)置存儲(chǔ)器測試機(jī)中的存儲(chǔ)失效地址的存儲(chǔ)器的行地址和列地址的長度;步驟二、對(duì)芯片單元進(jìn)行測試,并將每一行的測試結(jié)果進(jìn)行或運(yùn)算后存儲(chǔ)到行地址相同的存儲(chǔ)失效地址的存儲(chǔ)器中;步驟三、讀取存儲(chǔ)失效地址的存儲(chǔ)器中的各行的內(nèi)容得出失效的行數(shù)以及行地址;步驟四、判斷存儲(chǔ)器芯片的主區(qū)域的各失效的行能否修復(fù),如能則分配冗余單元替換存儲(chǔ)器芯片的主區(qū)域的失效行。本發(fā)明能有效減少測試時(shí)間,降低測試成本。
聲明:
“帶冗余單元的存儲(chǔ)器芯片的晶圓測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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