本申請(qǐng)涉及一種晶圓數(shù)據(jù)的處理方法、裝置、電子裝置和存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該晶圓數(shù)據(jù)的處理方法包括:獲取目標(biāo)晶圓的晶圓圖,所述晶圓圖被劃分為多個(gè)裸片區(qū)域;分別確定所述目標(biāo)晶圓中各個(gè)裸片對(duì)應(yīng)的電性失效類型以及至少一種缺陷類型;分別在所述晶圓圖中的多個(gè)裸片區(qū)域中設(shè)置與所述電性失效類型相匹配的標(biāo)識(shí)信息以及與所述至少一種缺陷類型相匹配的標(biāo)識(shí)信息。通過(guò)本申請(qǐng),解決了晶圓數(shù)據(jù)的價(jià)值無(wú)法被用戶所用的技術(shù)問(wèn)題,用戶可以直接根據(jù)晶圓數(shù)據(jù)確定裸片的電性失效數(shù)據(jù)與缺陷數(shù)據(jù)之間的關(guān)聯(lián),進(jìn)一步直觀地確定導(dǎo)致裸片電性失效的缺陷原因,提高了用戶基于檢測(cè)結(jié)果對(duì)晶圓良率進(jìn)行分析的速度和便利性。
聲明:
“晶圓數(shù)據(jù)的處理方法、裝置、電子裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)