提供一種借助于打算的高度集成和高速度的實(shí)現(xiàn)能夠得到高度可靠的半導(dǎo)體器件的制造方法。在諸過(guò)程期間,在一個(gè)包括一個(gè)CMOS靜態(tài)型電路的希望電路形成在半導(dǎo)體襯底上直到產(chǎn)品裝運(yùn)之后,進(jìn)行:一種第一操作,把一個(gè)預(yù)定輸入信號(hào)供給到電路,并且檢索與它對(duì)應(yīng)的一個(gè)第一輸出信號(hào);和一種第二操作,給出增大構(gòu)成CMOS靜態(tài)型電路的MOSFET的導(dǎo)通電阻值的一種操作條件,并且檢索與該條件對(duì)應(yīng)的一個(gè)第二輸出信號(hào);及一個(gè)測(cè)試步驟,通過(guò)從第二輸出信號(hào)變化的第一輸出信號(hào)確定失效。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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