本發(fā)明適用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種GaN?HEMT加速壽命試驗方法,該方法包括:選取多個相同工藝制備的GaN?HEMT器件,并將多個所述GaNHEMT器件進(jìn)行隨機(jī)分組,形成至少四個壽命試驗組;其中,所述壽命試驗組包括一個變化溫度試驗組和至少三個固定溫度試驗組;對每個所述固定溫度試驗組中的所述GaN?HEMT器件施加相同的試驗直流功率,并進(jìn)行電參數(shù)測試,得到第一失效數(shù)據(jù);對所述變化溫度試驗組中的所述GaN?HEMT器件施加與所述固定溫度試驗組相同的所述試驗直流功率,并進(jìn)行電參數(shù)測試,得到第二失效數(shù)據(jù);根據(jù)所述試驗溫度、第一失效數(shù)據(jù)和第二失效數(shù)據(jù),獲得溫度?壽命曲線。本發(fā)明能夠驗證GaN?HEMT加速壽命試驗的一致性,提高試驗的可信性。
聲明:
“GaN HEMT加速壽命試驗方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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