本發(fā)明公開了一種集成電路綜合環(huán)境試驗(yàn)方法,包括:S1,根據(jù)集成電路的產(chǎn)品基本信息和使用的環(huán)境信息,獲取試驗(yàn)最高溫度TTH、試驗(yàn)最低溫度TTL、試驗(yàn)最高溫度變化率ΔTE、試驗(yàn)功率密度譜、試驗(yàn)濕度和試驗(yàn)電應(yīng)力;S2,根據(jù)上述試驗(yàn)數(shù)據(jù),分別在給所述集成電路施加額定工作電壓、最高工作電壓、最低工作電壓時(shí),同時(shí)進(jìn)行溫度循環(huán)試驗(yàn)、隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)和濕度試驗(yàn);S3,上述試驗(yàn)后,對(duì)所述集成電路進(jìn)行功能測(cè)試,如果所述集成電路功能喪失,或任一性能參數(shù)值超出設(shè)計(jì)范圍,則所述集成電路失效;否則,所述集成電路完好。本發(fā)明能真實(shí)模擬集成電路的實(shí)際使用環(huán)境,更快更全面的激發(fā)產(chǎn)品的故障缺陷,為改進(jìn)集成電路設(shè)計(jì)、制造缺陷提供參考。
聲明:
“集成電路綜合環(huán)境試驗(yàn)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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