本申請涉及一種GaN功率器件動態(tài)應力老化試驗方法和系統(tǒng),包括:獲取被測GaN功率器件對應的動態(tài)脈沖電壓應力數(shù)據(jù)與溫度應力數(shù)據(jù);其中,動態(tài)脈沖電壓應力數(shù)據(jù)用于周期切換被測GaN功率器件的開關狀態(tài);根據(jù)動態(tài)脈沖電壓應力數(shù)據(jù)與溫度應力數(shù)據(jù)得到試驗條件;根據(jù)試驗條件對被測GaN功率器件進行動態(tài)應力老化試驗,并采集被測GaN功率器件在應力過程中的電參數(shù);根據(jù)電參數(shù)與預設失效閾值進行比較,得到試驗結果,通過施加更接近被測GaN功率器件實際工況的動態(tài)脈沖電壓應力,更為真實、嚴苛的反映GaN功率器件的可靠性,同時在應力施加過程中在線快速監(jiān)測電參數(shù)的真實退化情況,避免了離線測試與器件快速恢復特性導致測不準的難題。
聲明:
“GaN功率器件動態(tài)應力老化試驗方法和系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)