本發(fā)明涉及一種避免反濺射層剝離的SIP系列靶材及其用途。所述SIP系列靶材包括陰極金屬,所述陰極金屬邊緣的倒角半徑R≥4mm。針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中,常規(guī)的SIP系列靶材,陰極金屬與反濺射層間的界面設(shè)計(jì)并不能很好地緩解因熱膨脹系數(shù)差異而產(chǎn)生的界面應(yīng)力不匹配和應(yīng)力集中問(wèn)題,存在反濺射層剝落的風(fēng)險(xiǎn);且反濺射層剝落會(huì)產(chǎn)生異常物理尖端,從而引發(fā)尖端放電,導(dǎo)致后續(xù)
芯片的電性測(cè)試失效及硅片報(bào)廢的問(wèn)題。本發(fā)明所述SIP系列靶材能夠有效地緩解陰極金屬與反濺射層間的應(yīng)力不匹配和應(yīng)力集中情形,能夠避免反濺射層剝離和等離子體尖端放電的問(wèn)題。
聲明:
“避免反濺射層剝離的SIP系列靶材及其用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)