一種碳化硅功率器件及其制備方法、鈍化結(jié)構(gòu),涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該鈍化結(jié)構(gòu)應(yīng)用于碳化硅功率器件,包括設(shè)置于襯底上的碳化硅外延層,以及依次形成于碳化硅外延層上的肖特基金屬層和正面金屬層;鈍化結(jié)構(gòu)還包括厚度小于或等于0.1μm的鈍化層,鈍化層包括設(shè)置在碳化硅外延層上的第一部和與第一部連續(xù)的第二部,第二部至少包覆正面金屬層的部分側(cè)壁。該鈍化結(jié)構(gòu)能夠有效解決器件在經(jīng)過TCT測(cè)試后,器件鈍化層發(fā)生開裂而引起器件可靠性降低,甚至失效的問題。
聲明:
“碳化硅功率器件及其制備方法、鈍化結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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