本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N半導(dǎo)體裝置,通過將封蓋上的開口設(shè)計(jì)成大于半導(dǎo)體晶片,并將半導(dǎo)體晶片設(shè)置于開口內(nèi)而不是開口下方,且半導(dǎo)體晶片和封蓋于垂直方向上不重疊,實(shí)現(xiàn)了將半導(dǎo)體晶片與封蓋的粘合處從半導(dǎo)體晶片的上表面更改成半導(dǎo)體晶片的側(cè)壁,以此可以避免溢膠流至半導(dǎo)體晶片的感測(cè)區(qū)而造成產(chǎn)品失效的風(fēng)險(xiǎn)。
聲明:
“半導(dǎo)體裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)