本發(fā)明屬無機非金屬粉體材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種碳化硅晶須的生產(chǎn)方法。為解決目前國內(nèi)外碳化硅晶須生產(chǎn)方法單產(chǎn)效率低,成本高,污染大,易團聚,品質(zhì)低的問題,提供一種新型高溫氣化物理生產(chǎn)方法。該方法選用高純碳化硅晶體為原料,經(jīng)激光氣化高溫生長爐高溫分解氣化,再經(jīng)高溫合成生長,冷卻、收集,得到直徑為納米?亞微米?微米的碳化硅晶須。采用該工藝可生產(chǎn)出高純度,高品質(zhì)α?碳化硅晶須,粒徑2nm~1.5μm,可精準控制,長徑比40~200,本方法通過控制合成溫度和合成時間量程亦可得到納米碳化硅微粉和碳化硅納米線。生產(chǎn)過程少廢氣,無廢水、固體廢棄物排出,并且投資少,產(chǎn)量高,可用于規(guī)?;I(yè)生產(chǎn)。
聲明:
“納-微米碳化硅晶須的生產(chǎn)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)