本發(fā)明提供一種在制造半導(dǎo)體或光器件過程中用于化學(xué)/機(jī)械平面化端點(diǎn)檢測(cè)的原位監(jiān)測(cè)技術(shù)和設(shè)備。本發(fā)明的檢測(cè)是以容性測(cè)量導(dǎo)電襯底上電介質(zhì)層厚度來實(shí)現(xiàn)的。本測(cè)量涉及電介質(zhì)層、平的電極結(jié)構(gòu)物和將制品與電極結(jié)構(gòu)物界接的液體。電極結(jié)構(gòu)物包括一測(cè)量電極、一包圍測(cè)該電極的絕緣體、一保護(hù)電極和包圍它的另一絕緣體。測(cè)量時(shí)給測(cè)量電極和包圍保護(hù)電極的自舉配置中施加驅(qū)動(dòng)電壓,從而在無分流漏電阻的干擾作用下測(cè)量電介質(zhì)電容。該方法和設(shè)備用于平面化拋光期間和其它過程中現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量導(dǎo)電襯底上電介質(zhì)的厚度。
聲明:
“原位監(jiān)測(cè)法和化學(xué)/機(jī)械平面化端點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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