本發(fā)明公開(kāi)一種測(cè)量二氧化硅層厚度的方法,應(yīng)用于化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中。此方法先化學(xué)機(jī)械研磨一測(cè)試
芯片上,在測(cè)試芯片研磨過(guò)程中,利用傅立葉轉(zhuǎn)換紅外線光譜儀與橢圓儀測(cè)量測(cè)試芯片數(shù)次,以獲得一校正曲線。然后,再用化學(xué)機(jī)械研磨一測(cè)量芯片上的二氧化硅層,二氧化硅層形成于氮化硅層上方,在此測(cè)量芯片的研磨過(guò)程中的一時(shí)間點(diǎn)利用傅立葉轉(zhuǎn)換紅外線光譜儀測(cè)量此測(cè)量芯片,并通過(guò)內(nèi)插校正曲線,以獲得二氧化硅層在此時(shí)間點(diǎn)的厚度。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中測(cè)量非金屬層厚度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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