本發(fā)明涉及一種用于研磨半導(dǎo)體晶圓基材的化學(xué)機(jī)械研磨裝置及研磨方法,該裝置適用于研磨一晶圓上的一材料層,其包括一底座、數(shù)個研磨頭、數(shù)個研磨墊、一度量器以及一控制器。該研磨頭是設(shè)置于該底座之上;該研磨墊是設(shè)置于該底座之上;該度量器是設(shè)置于該底座之上,并且是位于該研磨墊中的兩個相鄰研磨墊之間,用以量測該材料層的厚度。該控制器是連接于該研磨墊以及該度量器;該研磨方法是在該研磨墊中的至少一個第一個研磨墊上研磨該材料層;以該度量器量測該材料層的厚度;以及在該研磨墊中的至少一個第二個研磨墊上將該材料層研磨成一目標(biāo)厚度。本發(fā)明可以較大幅度的節(jié)省研磨的時間,提高生產(chǎn)效率。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨裝置以及研磨方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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