一種納米氧化銦氣敏材料的制備方法,屬于氧化物氣敏材料領(lǐng)域。本發(fā)明利用化學(xué)氣相沉積法在In2O3納米顆粒表面通過乙炔氣體分解制備碳包覆的In2O3納米顆粒,后經(jīng)退火處理調(diào)控表面碳材料的構(gòu)成和形貌,得到氣敏性能顯著增強(qiáng)的碳修飾的納米In2O3氣敏材料。本發(fā)明首次將碳修飾的納米In2O3材料應(yīng)用于氣體檢測(cè)方向,相對(duì)于其他提高氣敏材料性能的方法,如濺射或蒸發(fā)制備金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜、溶膠凝膠法制備具有特殊微結(jié)構(gòu)形貌的納米顆粒、修飾摻雜貴金屬Pt、Pd、Au等方法,本發(fā)明具有方法簡(jiǎn)單、成本低廉的優(yōu)點(diǎn),且得到的碳修飾的In2O3納米氣敏材料的氣敏性能有顯著的提高,在氣敏材料領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
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“納米結(jié)構(gòu)氣敏材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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