本發(fā)明提供一種用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中,通過適當(dāng)?shù)乜刂朴材ぶ械牡考疤己縼硇纬捎材?,以減小在執(zhí)行蝕刻工藝時所造成的臨界尺寸的偏差。通過增大遮光膜中的金屬含量及減小抗反射膜中的金屬含量來形成具有薄的厚度的金屬膜。因此,可提高金屬膜的分辨率、圖案保真度及耐化學(xué)性。此外,金屬膜及硬膜被形成為使其間的反射率反差高,從而能夠容易地檢驗所述硬膜。因此,所述用于硬遮罩的空白遮罩可應(yīng)用于動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器(DRAM)、快閃存儲器、或微處理單元(MPU),以具有32nm或以下的半節(jié)距且尤其是具有22nm或以下的臨界尺寸。
聲明:
“空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)