本發(fā)明公開了一種鋯鈦酸鋇薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒?,先按BaZr
0.2Ti
0.8O
3的化學(xué)計(jì)量比,稱取原料BaCO
3、ZrO
2和TiO
2,于1200℃燒制BaZr
0.2Ti
0.8O
3即BZT靶材;再將Pt?Si襯底放入脈沖激光沉積制品臺(tái)上,將脈沖激光沉積系統(tǒng)的本底真空抽至P<4.0×10
?4Pa,然后加熱襯底至350~750℃;打開進(jìn)氣閥,向系統(tǒng)中通入氧氣,在Pt?Si襯底上沉積得到厚度為150?300nm的BaZr
0.2Ti
0.8O
3薄膜;再在BaZr
0.2Ti
0.8O
3薄膜上面利用掩膜版制備金屬電極,制得鋯鈦酸鋇薄膜壓控變?nèi)莨堋1景l(fā)明鋯鈦酸鋇薄膜壓控變?nèi)莨艿恼{(diào)諧率≥60%,測(cè)試頻率為100kHz,且器件穩(wěn)定性好,制備工藝簡(jiǎn)單、電學(xué)性能優(yōu)良,具有良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“鋯鈦酸鋇薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ā?該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)