本發(fā)明公開(kāi)了一種改善多晶黑硅太陽(yáng)電池晶向間差異的工藝方法,此方法通過(guò)控制黑硅工藝中對(duì)硅片進(jìn)行堿拋光處理的堿性溶液的濃度、溫度及反應(yīng)副產(chǎn)物的積累量來(lái)控制硅片在此溶液中的反應(yīng)程度,達(dá)到降低
多晶硅片各晶向間絨面差異的目的,所制得的硅片在經(jīng)PECVD沉積氮化硅后表面具有常規(guī)多晶電池的顏色一致性。所述工藝方法由下列步驟組成:第一步:堿拋光;第二步:正常濕法黑硅制絨。此方法的堿拋光槽體可以定量補(bǔ)加化學(xué)品、水,可以定量排放溶液;此方法通過(guò)控制堿性溶液的濃度、溫度及反應(yīng)副產(chǎn)物的積累量解決黑硅電池各晶向差異大的問(wèn)題。此方法工藝簡(jiǎn)單,效果明顯,SEM測(cè)量堿拋光后的各晶向絨面大小,對(duì)比常規(guī)工藝標(biāo)準(zhǔn)偏差明顯降低,且制得的電池的表面顏色一致。
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