一種測(cè)量及表征半導(dǎo)體器件陷阱參數(shù)的方法涉及半導(dǎo)體器件可靠性領(lǐng)域。當(dāng)GaN基HEMT器件柵極處以某一偏壓下,在其漏源端加上恒定的電壓,其漏極電流會(huì)隨著時(shí)間變化。在較低的功率下,自熱效應(yīng)的影響可以忽略,而此時(shí)漏源電流的變化完全由陷阱及缺陷引起,因此,對(duì)漏源電流的變化進(jìn)行提取,處理,分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相關(guān)參數(shù)信息。根據(jù)這一特性,提出了一種陷阱的RC網(wǎng)絡(luò)等效模型,并可以測(cè)量出陷阱種類(lèi)數(shù),時(shí)間常數(shù)大小,俘獲電量等參數(shù),測(cè)量過(guò)程簡(jiǎn)便,快捷,無(wú)損,能夠獲得器件陷阱參數(shù)的信息及其變化。
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