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TSV圓片級(jí)封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法

827   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:29
本發(fā)明公開了TSV圓片級(jí)封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法,該裝置由顯微鏡、反光盒和探針系統(tǒng)組成;反光盒由外殼、外殼中兩個(gè)互成90°的反光鏡和外殼頂部開口處的透明玻璃組成,反光鏡與外殼底面夾角為45°;探針系統(tǒng)包括探針、探針臂和探針座,探針通過(guò)探針臂與探針座連接,探針上連接導(dǎo)線,導(dǎo)線與測(cè)試裝置或電源連接。該裝置利用反光鏡改變光線方向,不需背面鏡頭,就可以用于分析MEMS芯片的失效機(jī)理,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,效果好。本發(fā)明的分析方法為:將待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上,在壓焊塊上扎上探針;通過(guò)導(dǎo)線向MEMS結(jié)構(gòu)輸入激勵(lì)電壓;通過(guò)顯微鏡觀察MEMS結(jié)構(gòu)的響應(yīng)判斷MEMS器件的失效機(jī)理。該方法操作簡(jiǎn)單,能夠快速、準(zhǔn)確地對(duì)待分析MEMS芯片進(jìn)行失效分析。
聲明:
“TSV圓片級(jí)封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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