本發(fā)明公開了一種16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應(yīng)試驗方法,涉及
芯片單粒子效應(yīng)試驗技術(shù)領(lǐng)域,解決高端制程單粒子效應(yīng)測試的技術(shù)問題,方法包括:S1.使用Verilog HDL硬件描述語言編寫SRAM型FPGA中指定模塊的電路配置文件;S2.設(shè)定電流閾值并配置到SRAM型FPGA的開發(fā)板的電源控制模塊;S3.輻照源以初始輻照量輻照SRAM型FPGA;S4.使用Maxim DigitalPower電流檢測軟件實時讀取SRAM型FPGA的電流值,若電流值超過電流閾值,則進(jìn)行失效機理分析,試驗結(jié)束;S5.使用Beyond Compare軟件讀取SRAM型FPGA的rbd配置信息文件,若讀取正常,則通過比較輻照前后讀取的rbd配置信息文件的配置信息;否則,記錄指定模塊發(fā)生單粒子功能中斷;S6.加大輻照源的輻照量,執(zhí)行步驟S4。
聲明:
“16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應(yīng)試驗方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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