本發(fā)明公開了一種硅片薄膜的生長方法,包括:測得一控制硅片中央位置與周邊位置的薄膜厚度比;利用所述厚度比在硅片上進行第一次薄膜生長;在第一次生長的薄膜上進行光刻膠旋涂;利用硅片周邊曝光系統(tǒng)對硅片周邊位置進行曝光,經(jīng)顯影后將部分光刻膠去除;通過刻蝕將硅片部分薄膜去除;去除剩余的光刻膠后,利用所述厚度比進行第二次薄膜生長,通過兩次薄膜生長使薄膜達到要求的厚度。本發(fā)明所述硅片薄膜的生長方法,能使硅片上生長的薄膜其中央位置和周邊位置的薄膜厚度一致,減少硅片周邊
芯片的失效率,提高產(chǎn)品的成品率。
聲明:
“硅片薄膜的生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)