本發(fā)明公開了一種采用
粉末冶金的硅真空固態(tài)提純方法,包括:1)將粉狀的硅料壓鑄成塊狀,放入真空爐或不適宜放置粉料的設(shè)備中,抽真空,加熱到500~1400℃,并保溫5~25小時;2)冷卻至室溫后,將硅料取出,破碎、酸洗,得到提純的硅。本發(fā)明可以避免在抽真空過程中造成硅料的損失以及硅粉對爐內(nèi)和真空系統(tǒng)的污染,影響真空熔煉設(shè)備的壽命,而且通過采用粘結(jié)劑,有助于硅中雜質(zhì)的分離,達(dá)到提純的目的。
聲明:
“采用粉末冶金的硅真空固態(tài)提純方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)