本發(fā)明公開了一種提純太陽能級(jí)
多晶硅的方法。所述方法主要通過對(duì)工業(yè)硅進(jìn)行冶金法熔煉后,經(jīng)過對(duì)提拉定向生長多晶硅進(jìn)行多級(jí)電磁約束區(qū)域提純的方法來獲得太陽能級(jí)多晶硅。首先通過冶金法熔煉硅合金熔體,然后經(jīng)過提拉定向生長多晶硅來初步提純多晶硅后,在提拉出的多晶硅錠周圍設(shè)置對(duì)稱偶數(shù)個(gè)電磁約束熔煉器,實(shí)現(xiàn)多級(jí)電磁約束區(qū)域提純,并進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高純度提純多晶硅。
聲明:
“提純太陽能級(jí)多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)