多晶硅自封堵澆鑄裝置,涉及一種采用冶金法提純太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的設(shè)備。提供一種可以通過(guò)坩堝底部開(kāi)口澆鑄通道進(jìn)行澆鑄的多晶硅自封堵澆鑄裝置。設(shè)有澆鑄通道、加熱系統(tǒng)和熔煉坩堝,所述加熱系統(tǒng)設(shè)在澆鑄通道外側(cè)四周,所述熔煉坩堝底部與澆鑄通道之間連接??梢杂糜诟鞣N硅的熔煉過(guò)程,包括造渣、通氣、定向凝固、真空熔煉等。徹底取代了翻轉(zhuǎn)澆鑄方式,可以實(shí)現(xiàn)各種工藝的連續(xù)化提純,同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了各種不同熔煉過(guò)程之間的成功連接,減少了硅在熔煉提純過(guò)程中的不斷凝固與熔融過(guò)程,大大節(jié)約了能耗,更關(guān)鍵的地可實(shí)現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)。具有很可觀的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
聲明:
“多晶硅自封堵澆鑄裝置” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)