本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效提純多晶硅粉體的方法,第一步備料:將低磷、低金屬的高純硅料放入底部帶冷卻的熔煉坩堝中,向裝粉桶中加入需提純的高磷、高金屬硅粉;第二步預(yù)處理:對真空室進(jìn)行抽真空;對熔煉坩堝及拉錠機(jī)構(gòu)冷卻至25-45℃;預(yù)熱電子槍;第三步提純:打開電子槍進(jìn)行熔煉,去除揮發(fā)性雜質(zhì)磷;熔煉后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金屬雜質(zhì)聚集于硅錠上部;關(guān)閉電子槍,繼續(xù)抽真空15-30分鐘,打開放氣閥放氣,打開真空蓋,取出硅錠切去硅錠上部含金屬雜質(zhì)較多的部分即可。本發(fā)明同時(shí)實(shí)現(xiàn)電子束熔煉硅粉除磷和定向凝固除金屬的雙重效果,達(dá)到高效熔煉硅粉,快速除去雜質(zhì)的目的。
聲明:
“電子束高效提純多晶硅粉體的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)