本發(fā)明屬于
多晶硅提純的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束誘導技術(shù)進行定向凝固除雜的方法。該方法首先取鋁、鈣含量高的冶金級多晶硅,將其清洗烘干后置于坩堝內(nèi),抽取真空后啟動電子槍,以400-700mA的束流轟擊多晶硅,至全部熔化,形成熔池,持續(xù)熔煉30-60min;然后采用對數(shù)降束的方式降低電子束的束流,待電子束束流降低到100-150mA時,停止降束,熔體緩慢凝固形成鑄錠,關(guān)閉束流,可得到低鋁、低鈣的多晶硅鑄錠。本發(fā)明充分利用了雜質(zhì)在硅中的蒸發(fā)效應和分凝效應,實現(xiàn)了電子束熔煉蒸發(fā)與定向凝固兩種除雜方式的優(yōu)勢互補,保證了一次熔煉后雜質(zhì)鋁和鈣可以被去除到滿足
太陽能電池性能要求的程度,減少了工藝環(huán)節(jié),降低了能耗,有利于大規(guī)模推廣應用。
聲明:
“電子束誘導定向凝固除雜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)