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太陽能級硅的制備方法

835   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 14:33:06
本發(fā)明提供了一種太陽能級硅的制備方法,該方法采用金屬硅或金屬硅粉為原材料,通過化學除雜與物理冶煉除雜相結合的方法,將硅中的各雜質元素含量降到1PPM以下,特別是磷≤0.5PPM,B≤0.3PPM,電阻率≥2ΩCM,從而制得低成本的高純硅。與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明采用化學處理和物理處理相結合,能更有效地降低硅里面的雜質元素;能耗較低,設備投資少,建設周期短,過程的環(huán)保容易克服,相同規(guī)模的投資比較少;與純物理熔煉方法比較,更容易降低B、P的含量,所得產(chǎn)品純度高。
聲明：
“太陽能級硅的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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