一種粉粒在冷等離子體中的純化,采用冷等離子體提純粉體材料,包括半導(dǎo)體和陶瓷粉料。此技術(shù)主要用于晶粒和粉粒尺寸在50μm至150μm的硅由純度為99%提高到99.99%,是我們所發(fā)現(xiàn)的冷等離子體“冶金效應(yīng)”的具體應(yīng)用。本發(fā)明采用立式反應(yīng)室結(jié)構(gòu)以增加粉粒行程;采用氣體反吹和有效抽氣速率(KS)的調(diào)節(jié)使粉粒下降速度減小又達到收集的目的;應(yīng)用振動拋撒防止粉粒成團;反應(yīng)氣體分配器使氣體均勻上吹。這些措施使提純速率提高,沉降時間加長,一次沉降所去除的雜質(zhì)量增加,當(dāng)放電功率為1000W,每小時能將400克、純度為99%的硅粉提純至99.99%。
聲明:
“粉粒在冷等離子體中的純化” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)