本發(fā)明提供一種用于UMG-Si提純的過(guò)程控制方法,其執(zhí)行熔化UMG-Si的定向固化以形成硅錠。所述錠被分割為多個(gè)塊,并映射每個(gè)硅塊的電阻率分布?;陔娮杪视成?,計(jì)算用于去除定向固化過(guò)程中濃縮和捕捉在錠中的雜質(zhì)的剪切線。然后,通過(guò)沿著塊的計(jì)算的剪切線剪切每個(gè)塊,去除濃縮的雜質(zhì)。
聲明:
“升級(jí)冶金級(jí)硅材料提純的過(guò)程控制” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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