本發(fā)明涉及一種微波等離子體提純冶金級
多晶硅的方法,該方法包括以下步驟:(1)將冶金級硅粉進(jìn)行超聲清洗后,室溫下晾干,得到預(yù)處理硅粉;(2)將所述預(yù)處理硅粉放入微波等離子體提純裝置內(nèi)的石英管中;(3)將所述石英管抽真空后,通過Ar氣進(jìn)氣裝置向所述石英管通入Ar氣;(4)20分鐘后,打開電源開關(guān),開啟微波發(fā)射源,進(jìn)行Ar微波等離子體刻蝕實驗,得到提純后的冶金級多晶硅粉體;(5)刻蝕結(jié)束后,關(guān)閉所述電源開關(guān)及所述Ar氣進(jìn)氣裝置,待所述提純后的冶金級多晶硅粉體自然冷卻后取出,放入清潔無污染的環(huán)境中保存即可。本發(fā)明不但便于實現(xiàn)大規(guī)模的生產(chǎn)應(yīng)用,而且有效降低了能耗及生產(chǎn)成本,同時也降低了提純的難度。
聲明:
“微波等離子體提純冶金級多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)