本發(fā)明涉及一種用于冶金級(jí)硅電磁懸浮處理的電磁懸浮線圈和方法,屬于電磁懸浮熔煉技術(shù)領(lǐng)域。該用于冶金級(jí)硅電磁懸浮處理的電磁懸浮線圈,電磁懸浮線圈包括上端線圈和下端線圈;下端線圈與上端線圈為反向串聯(lián)繞制,繞匝間距為0.5~1.0mm;所述上端線圈為1~2匝,內(nèi)徑為16~22mm;所述下端線圈為3~5匝,內(nèi)徑為16~22mm;所述兩個(gè)上、下端線圈之間的間距為10~15mm;所述繞制線圈的材料采用直徑為4~6mm的空心銅導(dǎo)管,繞制線圈的懸浮樣品質(zhì)量為0.6~1.0g,懸浮樣品初始位置為兩個(gè)線圈之間的間距中心位置下5~10mm。本發(fā)明通過(guò)改變電磁懸浮線圈的結(jié)構(gòu)特性,使
半導(dǎo)體材料冶金級(jí)硅快速升溫,促使冶金級(jí)硅的電導(dǎo)率急劇上升,使其達(dá)到感應(yīng)加熱及懸浮精煉條件。
聲明:
“用于冶金級(jí)硅電磁懸浮處理的電磁懸浮線圈和方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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