本發(fā)明公開(kāi)了一種降低冶金級(jí)硅
太陽(yáng)能電池暗電流的擴(kuò)散工藝,第一步進(jìn)行低溫濃磷擴(kuò)散,在較低溫度下,通入高濃度磷源進(jìn)行擴(kuò)散,形成高濃度磷摻雜;第二步進(jìn)行高溫長(zhǎng)時(shí)間磷吸雜,在較高溫度下使鐵、碳、硼、氧等雜質(zhì)的沉淀態(tài)雜質(zhì)、替位態(tài)雜質(zhì)或者其它雜質(zhì)復(fù)合體釋放成間隙態(tài)雜質(zhì),間隙態(tài)的雜質(zhì)快速擴(kuò)散到高固溶度的磷硅玻璃層中,完成高溫磷吸雜,提升體少子壽命;第三步低溫推進(jìn),在較低溫度下,推進(jìn)結(jié)深、并調(diào)整至工藝要求的方塊電阻;并且隨著溫度的降低表面濃磷區(qū)域雜質(zhì)固溶度降低,使間隙態(tài)的雜質(zhì)轉(zhuǎn)變成沉淀態(tài)、復(fù)合體等形態(tài)的雜質(zhì)。采用本發(fā)明擴(kuò)散工藝對(duì)冶金級(jí)晶體硅片進(jìn)行擴(kuò)散,可以有效降低太陽(yáng)電池的暗電流,提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。
聲明:
“降低冶金級(jí)硅太陽(yáng)能電池暗電流的擴(kuò)散工藝” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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