一種高溫冶金法制備太陽能級
多晶硅的工藝,屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域,步驟包括將二氧化硅原料和碳質(zhì)還原劑分別進(jìn)行酸洗和真空預(yù)處理,混合后進(jìn)行電弧冶煉;在冶煉獲得的硅中加入造渣劑并在攪拌條件下進(jìn)行爐外精煉,將爐外精煉結(jié)束后獲得的硅置于真空感應(yīng)爐中,抽真空通入保護(hù)氣體升溫至1500~1900℃攪拌精煉10~30min,再抽真空至≤0.1Pa,冷卻。該方法可采用現(xiàn)有的常規(guī)設(shè)備,通過逐步提高純度的方法,采用相對簡單的步驟獲得純度99.9999%以上的高純度多晶硅。本發(fā)明的方法能夠產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益,具有良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“高溫冶金法制備太陽能級多晶硅的工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)