本發(fā)明涉及一種高阻靶材制造方法,屬于電子材料與冶金技術(shù)領(lǐng)域。用于制備金屬膜電阻器所需的靶材。該方法包括原料配比、熔煉、制粉、熱壓成型和機(jī)加工過(guò)程。其優(yōu)點(diǎn)是:所制造的靶材晶粒尺寸細(xì)小、大小分布均勻、致密度高、外部無(wú)裂紋、內(nèi)部無(wú)孔隙,能夠有效提升金屬膜電阻器的質(zhì)量和薄膜沉積速率;本發(fā)明方法制造靶材成品率高,易于規(guī)?;a(chǎn)。
聲明:
“高阻靶材制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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