本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種電子束熔煉提純
多晶硅的方法及設(shè)備,在真空下電子束熔煉高磷硅料得到低磷硅熔體,將低磷硅熔體倒入凝固坩堝中凝固;重復(fù)上述裝料、熔煉提純和傾倒的工序,直到凝固坩堝裝滿;將另一個(gè)空的凝固坩堝旋轉(zhuǎn)至硅液倒料口下方,重復(fù)上述裝料、熔煉提純和傾倒的工序,直到該凝固坩堝裝滿;重復(fù)上述裝滿凝固坩堝和旋轉(zhuǎn)另一個(gè)空的凝固坩堝至硅液倒料口下方的工序,直至所有凝固坩堝裝滿,待所有凝固坩堝中低磷硅熔體凝固成鑄錠后取出鑄錠。該發(fā)明方法減少了多次熔煉的整體提純時(shí)間,降低了抽真空和電子槍預(yù)熱的次數(shù),提高了生產(chǎn)效率,本發(fā)明的設(shè)備,結(jié)構(gòu)緊湊,易于操作,安全可控,生產(chǎn)效率高。
聲明:
“凝固坩堝旋轉(zhuǎn)式電子束熔煉提純多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)