高性能鋰離子電池陽極——硅納米線陣列膜電極的制備方法,用金屬催化腐蝕硅晶片,經(jīng)過兩次腐蝕將單晶硅片腐蝕成完全由硅納米線組成的硅納米線陣列膜;并采用兩種不同的工藝制作成電極:一種是用真空熱蒸鍍的方法在硅納米線陣列膜背面鍍鋁膜,經(jīng)退火形成Si-Al合金,作為電流收集器;另外一種是在硅納米線陣列膜表面包裹碳?xì)饽z,經(jīng)過真空燒結(jié),碳?xì)饽z熱解成碳,作為電流收集器;本發(fā)明制備的硅納米線陣列膜作為陽極組裝的鋰離子電池具有大的鋰存儲容量,高的庫倫效率和好的循環(huán)穩(wěn)定性,并且本發(fā)明操作簡便、重復(fù)性好、不需要復(fù)雜設(shè)備。
聲明:
“硅納米線陣列膜電極的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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