本發(fā)明提供了一種功率
芯片雙面燒結(jié)的壓接式IGBT模組的制備方法,該方法包括:從下至上將下鉬片、焊片、IGBT芯片、焊片和上鉬片組裝到燒結(jié)卡具中;組裝限位銷壓制壓片;用連續(xù)真空燒結(jié)爐燒結(jié)得單芯片燒結(jié)連接結(jié)構(gòu);從下至上依次組裝的塑料框架、彈簧探針和燒結(jié)結(jié)構(gòu),得所述單芯片壓接子模組。本發(fā)明提供的制備方法用連續(xù)式真空燒結(jié)爐,能夠大規(guī)模燒結(jié)芯片,極大地縮短了工序時長,效率高,速度快;本發(fā)明中提供的燒結(jié)方法采用的燒結(jié)卡具與壓片,解決了芯片與鉬片燒結(jié)后的對中問題,并且可以確保燒結(jié)后結(jié)構(gòu)的厚度差值可控制在8μm以下。
聲明:
“雙面燒結(jié)卡具、壓接式IGBT模塊燒結(jié)方法及其制得的子模組” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)